单结晶体管有一个PN结和三个电极,即一个发射极和二个基极,所以又名双基极二极管。
单结晶体管有一个重要的电气特性负阻特性,使用这种特功能够组成张弛振荡器、自激多谐振荡器、阶梯波发生器、定时器等多种脉冲单元电路。单结晶体管的内部结构:在一块高阻率的N型硅片两头,制造两个触摸电极,分别叫榜首基极b1和第二基极b2,硅片的另一侧在接近第二基极b2处制造了一个PN结,并在P型硅片上引出电极E,E叫发射极。榜首基极b1和第二基极b2之间的纯电阻,称为基区电阻,一般在2 K~ 10 K之间。榜首基极b1与发射极E之间的电阻,在正常作业时,将随发射极电流而改变。PN结的效果相当于一个二极管。在阻值比较中,E-b1的阻值较大,E-b2的阻值较小;即E-b1的阻值大于 E-b2的阻值。用万用表测单结晶体管的阻值,榜首基极b1和第二基极b2之间的正反电阻均一样,为正常,不然该单结晶体管功能欠好。
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