范畴获得新进展，提出一种原子级界面工程技术，可在缩小晶体管尺度的一起坚持高电气功能，有望推进下一代低功耗

  研讨团队表明，二维资料仅有单原子厚度，具有优异电学特性，被视为逾越硅基芯片约束的潜在资料。但在制作晶体管时，超薄绝缘层和半导体之间的界面易发生缺点，导致散射，使晶体管功能提高面对瓶颈。

  研讨人员经过在单层二硫化钼（MoS）半导体外表构建超薄氧化铝界面层，再结合高介电常数氧化铪栅介质，改进资料界面质量，使晶体管一起完成更强电控才能和较高载流子搬迁功能。